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半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100449800C, 申请日期: 2009-01-07, 公开日期: 2009-01-07
发明人:  橘浩一;  本乡智惠;  布上真也;  小野村正明
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