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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100452584C, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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