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具有氮化物系异质结构的器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1282257C, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
发明人:  吉川明彦;  徐科
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面発光半導体レーザ及びそれを用いたレーザシステム 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3572151B2, 申请日期: 2004-07-02, 公开日期: 2004-09-29
发明人:  吉川 明彦;  小林 正和;  水井 順一;  山越 英男
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窒化ガリウム結晶を有する積層体およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000269605A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
发明人:  吉川 明彦;  小林 正和
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II-VI族化合物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999238914A, 申请日期: 1999-08-31, 公开日期: 1999-08-31
发明人:  吉川 明彦;  小林 正和
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998256668A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25
发明人:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  水井 順一;  山越 英男;  山口 賢剛
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発光素子用電極 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998079556A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24
发明人:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  水井 順一;  山越 英男;  山口 賢剛
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発光素子用電極 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998070309A, 申请日期: 1998-03-10, 公开日期: 1998-03-10
发明人:  吉川 明彦;  小林 正和;  長沢 泰之;  山越 英男;  水井 順一;  山口 賢剛
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