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Method of improving current confinement in semiconductor lasers by inert ion bombardment 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4523961, 申请日期: 1985-06-18, 公开日期: 1985-06-18
发明人:  HARTMAN, ROBERT L.;  KOSZI, LOUIS A.;  WILLIAMS, RICHARD S.;  ZILKO, JOHN L.
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