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III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
发明人:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊
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III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
发明人:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊
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III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
发明人:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司;  住友隆道;  上野昌纪;  池上隆俊;  片山浩二;  中村孝夫
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III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10
发明人:  善积祐介;  高木慎平;  池上隆俊;  上野昌纪;  片山浩二
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III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司;  住友隆道;  上野昌纪;  池上隆俊;  片山浩二;  中村孝夫
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III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  高木慎平;  善积祐介;  片山浩二;  上野昌纪;  池上隆俊
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III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史;  上野昌纪;  住友隆道;  德山慎司;  片山浩二;  中村孝夫;  池上隆俊
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