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化合物半导体衬底的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100481326C, 申请日期: 2009-04-22, 公开日期: 2009-04-22
发明人:  宫孝夫;  富谷茂隆;  碓井彰;  宫孝夫
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