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生长半导体纳米线的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101798057A, 申请日期: 2010-08-11, 公开日期: 2010-08-11
发明人:  查尔斯·M·利伯;  崔屹;  段镶锋;  黄昱
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