Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 生长半导体纳米线的方法 | |
| 其他题名 | 生长半导体纳米线的方法 |
| 查尔斯·M·利伯; 崔屹; 段镶锋; 黄昱 | |
| 2010-08-11 | |
| 专利权人 | 哈佛学院董事会 |
| 公开日期 | 2010-08-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本申请涉及生长半导体纳米线的方法，所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20％的直径变化，使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。 |
| 其他摘要 | 本申请涉及生长半导体纳米线的方法，所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20％的直径变化，使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。 |
| 主权项 | 一种方法，所述方法包括： 由直径变化小于约20％的催化剂胶体颗粒催化生长一组半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择所述催化剂胶体颗粒以使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20％。 |
| 申请日期 | 2001-08-22 |
| 专利号 | CN101798057A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200910205893.2 |
| 公开（公告）号 | CN101798057A |
| IPC 分类号 | B82B3/00 | B82B1/00 | H01L21/335 | H01L21/77 | H01L21/329 | H01L29/861 | H01L33/00 | H01L29/88 | H01L29/872 | H01L21/331 | H01L29/73 | H01L21/8239 | H01L27/105 | H01L21/82 | H01L27/24 | H01S5/00 | H01L31/18 | H01L31/102 | H01L31/101 | H01L31/042 | H01L27/00 | H01L25/00 | C30B11/00 | C30B25/00 | G01N27/12 | G01N27/414 | G01N33/543 | G11C13/02 | H01L23/532 | H01L27/10 | H01L29/06 | H01L29/207 | H01L29/267 | H01L33/06 | H01L33/18 | H01L51/00 | H01L51/30 |
| 专利代理人 | 顾晋伟 | 王春伟 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60706 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 哈佛学院董事会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 查尔斯·M·利伯,崔屹,段镶锋,等. 生长半导体纳米线的方法. CN101798057A[P]. 2010-08-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101798057A.PDF（12319KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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