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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2019/12/26
一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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