中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102709807A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  徐靖中
Adobe PDF(222Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/12/31