以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器

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	以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器
其他题名	以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器
	徐靖中
	2012-10-03
专利权人	徐靖中
公开日期	2012-10-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器。包括一级热沉，Au-Sn焊层电极(正负极)，激光器芯片，连接金线，次级铜热沉以及改进的F封装结构。本发明特色在于与芯片直接接触的一级热沉采用SiC晶片，其热胀系数与芯片衬底材料的热胀系数相近，在消除芯片与铜热沉之间的热胀系数不匹配的同时，最大限度扩展芯片有效散热面积，均化热流密度分布，降低了系统热阻，从而显著减少芯片工作时热量的积累。数值模拟表明，在同等条件下，采用此种新型热沉结构设计可使散热功率增加近60％。采用改进的F封装结构，电极引线7、8直接从+-极Au-Sn焊层引出，减少了电极引线焊接点，有利于提高器件整体可靠性。
其他摘要	本发明涉及一种以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器。包括一级热沉，Au-Sn焊层电极(正负极)，激光器芯片，连接金线，次级铜热沉以及改进的F封装结构。本发明特色在于与芯片直接接触的一级热沉采用SiC晶片，其热胀系数与芯片衬底材料的热胀系数相近，在消除芯片与铜热沉之间的热胀系数不匹配的同时，最大限度扩展芯片有效散热面积，均化热流密度分布，降低了系统热阻，从而显著减少芯片工作时热量的积累。数值模拟表明，在同等条件下，采用此种新型热沉结构设计可使散热功率增加近60％。采用改进的F封装结构，电极引线7、8直接从+-极Au-Sn焊层引出，减少了电极引线焊接点，有利于提高器件整体可靠性。
主权项	一种以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器，其特征在于：所述的单发射腔半导体激光器包括一级热沉1，Au-Sn焊层2(正极)，Au-Sn焊层3(负极)，芯片4，连接金线5，次级铜热沉6，电极引线7。
申请日期	2012-04-18
专利号	CN102709807A
专利状态	失效
申请号	CN201210113009.4
公开（公告）号	CN102709807A
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65019
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	徐靖中
推荐引用方式 GB/T 7714	徐靖中. 以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器. CN102709807A[P]. 2012-10-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102709807A.PDF（222KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文