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半導体素子の製造方法および半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009253062A, 申请日期: 2009-10-29, 公开日期: 2009-10-29
发明人:  畑 雅幸;  野村 康彦
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009105457A, 申请日期: 2009-05-14, 公开日期: 2009-05-14
发明人:  亀山 真吾;  野村 康彦;  畑 雅幸
Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化物系半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009099959A, 申请日期: 2009-05-07, 公开日期: 2009-05-07
发明人:  亀山 真吾;  野村 康彦;  廣山 良治;  畑 雅幸
Adobe PDF(235Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18