半導体レーザ装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	亀山真吾; 野村康彦; 畑雅幸
	2009-05-14
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	2009-05-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】反りの矯正に起因するレーザ特性の劣化および半導体レーザ素子の破損が発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置40では、共振器の延びる方向に反りを有する半導体レーザ素子50と、半導体レーザ素子50の反りの凹側の表面上に形成されワイヤボンド部115aが設けられたp側電極115と、半導体レーザ素子50の反りの凸側が固定される基台70とを備える。そして、半導体レーザ素子50は、反りの凸側と基台70との間の距離が、共振器の延びる方向に沿って半導体レーザ素子50の反りに応じて変化するように基台70に固定されるとともに、半導体レーザ素子50の反りの凸側と基台70との間の距離のうち、実質的に最も小さい距離を有する領域近傍に対応するp側電極115の部分の近傍に、ワイヤボンド部115aが設けられている。【選択図】図2
其他摘要	可以被抑制的半导体激光器装置，其可损害和降解引起的翘曲的矫正激光特性的半导体激光元件。甲在半导体激光装置40中，具有一个腔体的经纱方向的半导体激光装置50中，形成在元件50上的引线键合部分115a的翘曲的凹侧的表面上的半导体激光器被设置p侧电极115，在半导体激光元件的翘曲的凸侧的基座70 50固定有门提供。半导体激光元件50中，凸起侧和经线的基部70之间的距离，根据所述半导体激光器装置50的沿所述共振器的延伸方向的翘曲固定到基座70，从而改变Rutotomoni，凸侧和半导体激光元件50的翘曲的基极70之间的距离的，基本上最小距离
申请日期	2009-02-12
专利号	JP2009105457A
专利状态	失效
申请号	JP2009029284
公开（公告）号	JP2009105457A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/323 \| H01S5/00
专利代理人	▲角▼谷浩
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71829
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	亀山真吾,野村康彦,畑雅幸. 半導体レーザ装置. JP2009105457A[P]. 2009-05-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009105457A.PDF（345KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文