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3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1145247C, 申请日期: 2004-04-07, 公开日期: 2004-04-07
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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