中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
发明人:  CHEN, ZHEN
Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/12/24