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“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102157903B, 申请日期: 2012-08-08, 公开日期: 2012-08-08
发明人:  迂修;  张宇;  王国伟;  徐应强;  徐云;  宋国峰
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