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一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101702490A, 申请日期: 2010-05-05, 公开日期: 2010-05-05
发明人:  尤明慧;  高欣;  李占国;  刘国军;  李林;  李梅;  王勇;  乔忠良;  邹永刚;  邓昀;  王晓华;  李联合
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采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101645577A, 申请日期: 2010-02-10, 公开日期: 2010-02-10
发明人:  李占国;  刘国军;  尤明慧;  李林;  李梅;  乔忠良;  邹永刚;  邓昀;  王勇;  王晓华;  赵英杰
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采用InGaSb柱形量子点实现高效率5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101626143A, 申请日期: 2010-01-13, 公开日期: 2010-01-13
发明人:  李占国;  刘国军;  尤明慧;  李林;  李梅;  乔忠良;  邓昀;  王勇;  王晓华;  赵英杰;  李联合
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