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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1154155C, 申请日期: 2004-06-16, 公开日期: 2004-06-16
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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