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氮化物半导体,半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
发明人:  后藤修;  浅野竹春;  竹谷元伸;  簗克典;  池田真朗;  涉谷胜义;  铃木康彦
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