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半导体激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109390844A, 申请日期: 2019-02-26, 公开日期: 2019-02-26
发明人:  斯文·格哈德;  克里斯托夫·艾希勒;  克里斯蒂安·鲁姆博尔茨
Adobe PDF(743Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9444225, 申请日期: 2016-09-13, 公开日期: 2016-09-13
发明人:  TAKADO, SHINYA;  KASHIWAGI, JUNICHI
Adobe PDF(2001Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/01/18
Selective layer disordering in III-nitrides with a capping layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9368677, 申请日期: 2016-06-14, 公开日期: 2016-06-14
发明人:  WIERER, JR., JONATHAN J.;  ALLERMAN, ANDREW A.
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Method of fabricating a superlattice structure 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9324900, 申请日期: 2016-04-26, 公开日期: 2016-04-26
发明人:  EVANS, ALLAN;  TENNANT, WILLIAM;  HOOD, ANDREW
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LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
发明人:  CHEN, ZHEN
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Quantum cascade laser element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2747221A1, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  HIRAYAMA, HIDEKI;  LIN, TSUNG-TSE
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Enhanced planarity in GaN edge emitting lasers 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8355422, 申请日期: 2013-01-15, 公开日期: 2013-01-15
发明人:  BHAT, RAJARAM
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Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16
发明人:  BOUR, DAVID P.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  YANG, ZHIHONG
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Semiconductor layer structure with superlattice 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7893424, 申请日期: 2011-02-22, 公开日期: 2011-02-22
发明人:  EICHLER, CHRISTOPH;  LELL, ALFRED;  MILER, ANDREAS;  SCHILLGALIES, MARC
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III-V group GaN-based compound semiconductor device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7826505, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
发明人:  SON, JOONG-KON;  HA, KYOUNG-HO;  RYU, HAN-YOUL
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