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一种低氧化应力的VCSEL芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209329394U, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
发明人:  贾钊;  赵炆兼;  郭冠军;  曹广亮;  赵丽
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一种低氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109638646A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
发明人:  贾钊;  赵炆兼;  郭冠军;  曹广亮;  赵丽
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一种半导体光放大器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785915A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  贾慧民;  方铉;  张晶;  郝永芹;  王菲;  马晓辉;  王晓华
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一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205622044U, 申请日期: 2016-10-05, 公开日期: 2016-10-05
发明人:  潘旭;  张露;  吴波;  张小宾;  杨翠柏
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Laser diode 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1986070784A, 申请日期: 1986-04-11, 公开日期: 1986-04-11
发明人:  MATSUBARA HIROSHI;  MURAKAMI TAKASHI;  YAMAWAKI TAKESHI;  TAKAMIYA SABURO
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