Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种低氧化应力的VCSEL芯片 | |
| 其他题名 | 一种低氧化应力的VCSEL芯片 |
| 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽 | |
| 2019-08-30 | |
| 专利权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种低氧化应力的VCSEL芯片，芯片包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化限制层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，所述氧化限制层包括依次层叠设置的Al0.9Ga0.1As外延层、AlXGa1‑XAs外延层和Al0.98Ga0.02As外延层，所述Al0.9Ga0.1As外延层靠近所述有源层设置，所述Al0.98Ga0.02As外延层靠近所述第二DBR层设置，其中X为Al元素的组分，X大于等于0且小于0.9。本实用新型采用多层的氧化限制层结构，氧化应力得到平衡，从而降低了氧化应力，进而降低了外延由于应力导致的脱落风险。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种低氧化应力的VCSEL芯片，芯片包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化限制层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，所述氧化限制层包括依次层叠设置的Al0.9Ga0.1As外延层、AlXGa1‑XAs外延层和Al0.98Ga0.02As外延层，所述Al0.9Ga0.1As外延层靠近所述有源层设置，所述Al0.98Ga0.02As外延层靠近所述第二DBR层设置，其中X为Al元素的组分，X大于等于0且小于0.9。本实用新型采用多层的氧化限制层结构，氧化应力得到平衡，从而降低了氧化应力，进而降低了外延由于应力导致的脱落风险。 |
| 授权日期 | 2019-08-30 |
| 申请日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN209329394U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201920262354.1 |
| 公开（公告）号 | CN209329394U |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38888 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,赵炆兼,郭冠军,等. 一种低氧化应力的VCSEL芯片. CN209329394U[P]. 2019-08-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN209329394U.PDF（643KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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