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Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
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Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
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