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作为半导体外延薄膜生长用衬底的纤锌矿结构氧化物 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1105401C, 申请日期: 2003-04-09, 公开日期: 2003-04-09
发明人:  B・H・T・切尔
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CONTROLADOR DE MODULACION DE LASER QUE UTILIZA TONOS DE CONTROL DE MODULACION ADITIVA Y DE MODULACION DE AMPLITUD. 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: ES2127963T3, 申请日期: 1999-05-01, 公开日期: 1999-05-01
发明人:  RIES, GORDON WILLIAM
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
发明人:  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  滝口 治久
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Semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0616400A2, 申请日期: 1994-09-21, 公开日期: 1994-09-21
发明人:  UCHIDA, TORU, C/O FUJITSU LIMITED;  ANAYAMA, CHIKASHI, C/O FUJITSU LIMITED;  YAMAZAKI, SUSUMU, C/O FUJITSU LIMITED;  KURAKAKE, HIROHIDE, C/O FUJITSU LIMITED;  KURAMATA, AKITO, C/O FUJITSU LIMITED;  SODA, HARUHISA, C/O FUJITSU LIMITED
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Optical waveguide having a variable refractive index and an optical device having such an optical waveguide 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0505289A2, 申请日期: 1992-09-23, 公开日期: 1992-09-23
发明人:  TANAKA, KAZUHIRO, C/O FUJITSU LIMITED;  WAKAO, KIYOHIDE, C/O FUJITSU LIMITED
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Surface treatment method of gaas substrate 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1990210830A, 申请日期: 1990-08-22, 公开日期: 1990-08-22
发明人:  HIRAYAMA FUKUICHI;  TAKEUCHI HIDEO
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UN ESPEJO DE CONJUGACION DE FASE AUTO-BOMBEADO Y UN METODO PARA FORMAR UNA CONJUGACION DE FASE DEUN RAYO OPTICO DE SONDA 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: ES2002983A6, 申请日期: 1988-10-01, 公开日期: 1988-10-01
发明人:  KLEIN MARVIN B;  VALLEY GEORGE C
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Heat treatment for compound semiconductor wafer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1982145311A, 申请日期: 1982-09-08, 公开日期: 1982-09-08
发明人:  WATANABE HISATSUNE;  HAYASHI ITSUO
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