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半导体结构以及形成半导体结构的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105990391B, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
发明人:  蔡劲;  E·里欧班端;  李宁;  宁德雄;  J-O·普卢查特;  D·K·萨达纳
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Monolithically integrated III-V optoelectronics with SI CMOS 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9372307, 申请日期: 2016-06-21, 公开日期: 2016-06-21
发明人:  BUDD, RUSSELL A.;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  PLOUCHART, JEAN-OLIVIER;  SADANA, DEVENDRA K.
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