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新型聚合物本体异质结光伏性能研究 学位论文
, 西安: 西安交通大学(光机所联合培养), 2014
作者:  高博文
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窄能带隙  D-a 共轭聚合物  Stille 偶联  形貌优化  缓冲层控制  
Double hetero-junction type semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1983122794A, 申请日期: 1983-07-21, 公开日期: 1983-07-21
发明人:  KINOSHITA KIYOUICHI;  SUGII KIYOMASA;  NAGANUMA MITSURU;  SUZUKI YOSHIFUMI
Adobe PDF(191Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/31