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紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102208755A, 申请日期: 2011-10-05, 公开日期: 2011-10-05
发明人:  沈广霞;  张佳利;  杨海军;  崔大祥
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