Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法 | |
| 其他题名 | 紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法 |
| 沈广霞; 张佳利; 杨海军; 崔大祥 | |
| 2011-10-05 | |
| 专利权人 | 上海交通大学 |
| 公开日期 | 2011-10-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种纳米材料技术领域的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上，经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜，经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。本发明以氧化石墨烯为原材料，采用紫外刻蚀并还原法，一步干法制备单层石墨烯量子点。 |
| 其他摘要 | 一种纳米材料技术领域的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法，通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上，经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜，经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。本发明以氧化石墨烯为原材料，采用紫外刻蚀并还原法，一步干法制备单层石墨烯量子点。 |
| 申请日期 | 2011-04-29 |
| 专利号 | CN102208755A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201110109954.2 |
| 公开（公告）号 | CN102208755A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | B82Y40/00 | B82Y20/00 |
| 专利代理人 | 王锡麟 | 王桂忠 |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89960 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈广霞,张佳利,杨海军,等. 紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法. CN102208755A[P]. 2011-10-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102208755A.PDF（769KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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