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Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan;  Ma, Xiaoyu
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Laser Diode  Mocvd  Gaas  Inp  
Enhanced optical properties and the origin of carrier transport in BiFeO3/TiO2 heterostructures with 109 degrees domain walls 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 628, 页码: 311-316
作者:  Feng, Hong-Jian;  Wang, M.;  Liu, F.;  Duan, B.;  Tian, J.;  Guo, X.
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Bifeo3/tio2 Heterostructures  Optical Absorption  Carrier Transport  First-principles