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Configuration of the active region for the Ge-on-Si photodetector based on carrier mobility 期刊论文
FRONTIERS IN PHYSICS, 2023, 卷号: 11
作者:  Chang, Chang;  Xie, Xiaoping;  Li, Tiantian;  Cui, Jishi
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silicon photonics  Ge-on-Si photodetector  PIN junction  carrier mobility  bandwidth  responsivity  
150 Gbps multi-wavelength FSO transmission with 25-GHz ITU-T grid in the mid-infrared region 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2023, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 15156-15169
作者:  Su, Yulong;  Meng, Jiacheng;  Wei, Tingting;  Xie, Zhuang;  Jai, Shuaiwei;  Tian, Wenlong;  Zhu, Jiangfeng;  Wang, Wei
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High-Performance Microring Resonator Ge-on-Si Photodetectors by Optimizing Absorption Layer Length 期刊论文
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2020, 卷号: 12, 期号: 4
作者:  Cui, Jishi;  Li, Tiantian;  Chen, Hongmin;  Cui, Wenjing
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Ge-on-Si photodetectors  silicon photonics  Integrated optoelectronics  
Third-Order Nonlinear Effect and Polarization-Dependent Modulation Using Spherical-Like MoS2 Nanoparticles 期刊论文
ANNALEN DER PHYSIK
作者:  Li, Tianlun;  Hao, Rui;  Hou, Yaping;  Gao, Duorui;  Xu, Yunfan;  Zhang, Yanpeng;  Fang, Jixiang;  Zhang, Lei
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isotropy medium  nonlinear optics  polarization dependence  third harmonic generation  transition metal dichalcogenide materials