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| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂AlO高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2019-12-31, 发明人: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平; 曹伟伟; 邹永星; 陆敏 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:311/0  |  提交时间:2019/09/05 |
| 微通道板及在微通道板内壁制备Cu掺杂AlO高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201910068958.7, 申请日期: 2019-01-24, 发明人: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 朱香平; 许彦涛; 曹伟伟; 邹永星; 陆敏 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:231/1  |  提交时间:2020/01/06 |
| 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810791167.2, 申请日期: 2018-07-18, 公开日期: 2019-01-11 发明人: 郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平; 曹伟伟; 邹永星; 陆敏 Adobe PDF(1689Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:235/1  |  提交时间:2019/08/30 |
| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN108588679A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1359Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:171/0  |  提交时间:2019/08/30 |
| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN108588680A, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1206Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:140/0  |  提交时间:2019/08/27 |
| 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810489471.1, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:179/0  |  提交时间:2018/12/29 |
| 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: CN201810489472.6, 申请日期: 2018-05-21, 公开日期: 2018-09-28 发明人: 朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松 Adobe PDF(1203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:283/0  |  提交时间:2018/12/29 |