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一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂AlO高阻薄膜的方法
郭俊江; 彭波; 郭海涛; 许彦涛; 朱香平; 曹伟伟; 邹永星; 陆敏
2018-07-18
Rights Holder中国科学院西安光学精密机械研究所
Date Available2019-01-11
Country中国
Subtype发明专利
Contribution Rank1
Abstract

本发明涉及一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法,高阻薄膜是通过原子层沉积方法在微通道板内壁进行不同组分材料沉积来获得Ni掺杂Al2O3的高阻薄膜的,沉积时,在一个大循环中,通过控制Al2O3沉积次数与Ni沉积次数,以控制Ni掺杂比例,从而可在106‑1010Ω·cm范围内精确调控薄膜的电阻率;通过控制大循环的循环次数控制薄膜的厚度。所制备的薄膜在高温工作环境下或高温退火后,电阻率基本保持恒定,解决了现有微通道板表面薄膜在高温条件下电阻率变化大导致微通道板性能不稳定的技术问题。

Claim

一种微通道板,所述微通道板的内壁设置有高阻薄膜,其特征在于: 所述高阻薄膜为Ni掺杂Al2O3高阻薄膜,所述Ni掺杂Al2O3高阻薄膜包括交叠设置的Al2O3层及Ni层。

Application Date2018-07-18
Patent NumberCN201810791167.2
Language中文
Status申请中
Application NumberCN201810791167.2
Open (Notice) NumberCN109182998A
IPC Classification NumberC23C16/455 ; C23C16/40 ; C23C16/06
Patent Agent杨亚婷
Agency西安智邦专利商标代理有限公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31810
Collection先进光电与生物材料研发中心
Affiliation中国科学院西安光学精密机械研究所
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
郭俊江,彭波,郭海涛,等. 一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂AlO高阻薄膜的方法. CN201810791167.2[P]. 2018-07-18.
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一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂(457KB)专利 限制开放CC BY-NC-SAApplication Full Text
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