光子功能材料与器件研究室知识库

本发明涉及一种微通道板及在微通道板内壁制备Ni掺杂Al2O3高阻薄膜的方法，高阻薄膜是通过原子层沉积方法在微通道板内壁进行不同组分材料沉积来获得Ni掺杂Al2O3的高阻薄膜的，沉积时，在一个大循环中，通过控制Al2O3沉积次数与Ni沉积次数，以控制Ni掺杂比例，从而可在106‑1010Ω·cm范围内精确调控薄膜的电阻率；通过控制大循环的循环次数控制薄膜的厚度。所制备的薄膜在高温工作环境下或高温退火后，电阻率基本保持恒定，解决了现有微通道板表面薄膜在高温条件下电阻率变化大导致微通道板性能不稳定的技术问题。

一种微通道板，所述微通道板的内壁设置有高阻薄膜，其特征在于： 所述高阻薄膜为Ni掺杂Al2O3高阻薄膜，所述Ni掺杂Al2O3高阻薄膜包括交叠设置的Al2O3层及Ni层。