OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共32条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Terahertz laser, terahertz source and use of such a terahertz laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US10333267, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:  LAMPIN, JEAN-FRANCOIS;  PAGIES, ANTOINE
Adobe PDF(1259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2019/12/23
Compact Calibration and Testing System For High Power Lasers and Optics 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20180106669A1, 申请日期: 2018-04-19, 公开日期: 2018-04-19
发明人:  BAE, YOUNG KUN
收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2019/12/31
Solar plant 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: IN11226DELNP2013A, 申请日期: 2015-01-02, 公开日期: 2015-01-02
发明人:  NUÑEZ BOOTELLO JUAN PABLO;  GALLAS TORREIRA MANUEL
Adobe PDF(1530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:51/0  |  提交时间:2019/12/31
Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
发明人:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
收藏  |  浏览/下载:99/0  |  提交时间:2019/12/24
ガリウム含有窒化物のバルク単結晶 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4358646B2, 申请日期: 2009-08-14, 公开日期: 2009-11-04
发明人:  ロベルト·トマシュ·ドヴィリニスキ;  ロマン·マレク·ドラジニスキ;  レシェック·ピョートル·シェシュプトフスキ;  イエジ·ガルチニスキ;  神原 康雄
Adobe PDF(110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2019/12/24
MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17
发明人:  BOUSQUET, VALERIE;  HOOPER, STEWART EDWARD;  BARNES, JENNIFER MARY;  JOHNSON, KATHERINE L.;  HEFFERNAN, JONATHAN
收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2019/12/24
Vcsel 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2407434A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
发明人:  VICTORIA, BROADLEY;  JENNIFER, MARY, BARNES
Adobe PDF(765Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2019/12/31
Light emitting device structure using nitride bulk single crystal layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1453159A1, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2004-09-01
发明人:  DWILINSKI, ROBERT;  DORADZINSKI, ROMAN;  GARCZYNSKI, JERZY;  SIERZPUTOWSKI, LESZEK;  KANBARA, YASUO, C/O NICHIA CORPORATION
收藏  |  浏览/下载:40/0  |  提交时间:2019/12/31
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
Adobe PDF(1090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:69/0  |  提交时间:2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
Adobe PDF(1090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:67/0  |  提交时间:2019/12/30