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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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半导体激光器专利数... [32]
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专题:半导体激光器专利数据库
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Terahertz laser, terahertz source and use of such a terahertz laser
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US10333267, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
发明人:
LAMPIN, JEAN-FRANCOIS
;
PAGIES, ANTOINE
Adobe PDF(1259Kb)
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提交时间:2019/12/23
Compact Calibration and Testing System For High Power Lasers and Optics
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20180106669A1, 申请日期: 2018-04-19, 公开日期: 2018-04-19
发明人:
BAE, YOUNG KUN
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提交时间:2019/12/31
Solar plant
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: IN11226DELNP2013A, 申请日期: 2015-01-02, 公开日期: 2015-01-02
发明人:
NUÑEZ BOOTELLO JUAN PABLO
;
GALLAS TORREIRA MANUEL
Adobe PDF(1530Kb)
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/12/31
Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
发明人:
UENO, MASAKI
;
YOSHIZUMI, YUSUKE
;
NAKAMURA, TAKAO
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提交时间:2019/12/24
ガリウム含有窒化物のバルク単結晶
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4358646B2, 申请日期: 2009-08-14, 公开日期: 2009-11-04
发明人:
ロベルト·トマシュ·ドヴィリニスキ
;
ロマン·マレク·ドラジニスキ
;
レシェック·ピョートル·シェシュプトフスキ
;
イエジ·ガルチニスキ
;
神原 康雄
Adobe PDF(110Kb)
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/12/24
MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17
发明人:
BOUSQUET, VALERIE
;
HOOPER, STEWART EDWARD
;
BARNES, JENNIFER MARY
;
JOHNSON, KATHERINE L.
;
HEFFERNAN, JONATHAN
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2019/12/24
Vcsel
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2407434A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
发明人:
VICTORIA, BROADLEY
;
JENNIFER, MARY, BARNES
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2019/12/31
Light emitting device structure using nitride bulk single crystal layer
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1453159A1, 申请日期: 2004-09-01, 公开日期: 2004-09-01
发明人:
DWILINSKI, ROBERT
;
DORADZINSKI, ROMAN
;
GARCZYNSKI, JERZY
;
SIERZPUTOWSKI, LESZEK
;
KANBARA, YASUO, C/O NICHIA CORPORATION
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提交时间:2019/12/31
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:
NAGAHAMA, SHINICHI
;
SANO, MASAHIKO
;
YANAMOTO, TOMOYA
;
SAKAMOTO, KEIJI
;
YAMAMOTO, MASASHI
;
MORITA, DAISUKE
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提交时间:2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:
NAGAHAMA, SHINICHI
;
SANO, MASAHIKO
;
YANAMOTO, TOMOYA
;
SAKAMOTO, KEIJI
;
YAMAMOTO, MASASHI
;
MORITA, DAISUKE
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提交时间:2019/12/30