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激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1913263B, 申请日期: 2012-12-12, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  佐藤庆二;  林隆一郎;  及川健二;  浅野竹春
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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
发明人:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎
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氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
发明人:  川上俊之;  神川刚;  谷健太郎
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