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化合物半導体装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000340892A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
发明人:  倉本 大
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窒化物系化合物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000294883A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
发明人:  倉本 大
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