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Group III nitride compound semiconductor laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6680957, 申请日期: 2004-01-20, 公开日期: 2004-01-20
发明人:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO;  TEZEN, YUTA;  NAGAI, SEIJI;  KOJIMA, AKIRA;  HIRAMATSU, TOSHIO
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Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6617061, 申请日期: 2003-09-09, 公开日期: 2003-09-09
发明人:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/12/26
Group III nitride compound semiconductor device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6552376, 申请日期: 2003-04-22, 公开日期: 2003-04-22
发明人:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO
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Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6486068, 申请日期: 2002-11-26, 公开日期: 2002-11-26
发明人:  YAMASAKI, SHIRO;  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI;  YAMADA, ISAO;  MATSUO, JIRO
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Group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5889806, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  NAGAI, SEIJI;  YAMASAKI, SHIRO;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KACHI, TETSU;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI
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