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III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10
发明人:  KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  YANASHIMA, KATSUNORI
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Group-III nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
发明人:  UENO, MASAKI;  KATAYAMA, KOJI;  IKEGAMI, TAKATOSHI;  NAKAMURA, TAKAO;  YANASHIMA, KATSUNORI;  NAKAJIMA, HIROSHI
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Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
发明人:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2019/12/24
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8594145, 申请日期: 2013-11-26, 公开日期: 2013-11-26
发明人:  TAKAGI, SHIMPEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  KATAYAMA, KOJI;  UENO, MASAKI;  IKEGAMI, TAKATOSHI
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Gallium nitride based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same, gallium nitride based light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for fabricating gallium nitride light-emitting diode 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8488642, 申请日期: 2013-07-16, 公开日期: 2013-07-16
发明人:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI
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Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
发明人:  KUMANO, TETSUYA;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  TASAI, KUNIHIKO;  NAKAJIMA, HIROSHI
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Group III nitride semiconductor element and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8391327, 申请日期: 2013-03-05, 公开日期: 2013-03-05
发明人:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  UENO, MASAKI;  NAKANISHI, FUMITAKE
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Method of making nitride semiconductor laser, method of making epitaxial wafer, and nitride semiconductor laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8295317, 申请日期: 2012-10-23, 公开日期: 2012-10-23
发明人:  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI
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Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24
发明人:  ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI;  UENO, MASAKI
Adobe PDF(354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2019/12/26
Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8183071, 申请日期: 2012-05-22, 公开日期: 2012-05-22
发明人:  AKITA, KATSUSHI;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  UENO, MASAKI;  NAKAMURA, TAKAO
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