中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Method for fabricating a semiconductor laser device in which the P-type clad layer and the active layer are grown at different rates 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5190891, 申请日期: 1993-03-02, 公开日期: 1993-03-02
发明人:  YOKOTSUKA, TATSUO;  TAKAMORI, AKIRA;  NAKAJIMA, MASATO;  SUZUKI, TOMOKO
收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2019/12/26