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Low noise and narrow linewidth external cavity semiconductor laser for coherent frequency and time domain reflectometry 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5511086, 申请日期: 1996-04-23, 公开日期: 1996-04-23
发明人:  SU, CHIN B.
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High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4706253, 申请日期: 1987-11-10, 公开日期: 1987-11-10
发明人:  SU, CHIN B.;  LANZISERA, VINCENT A.;  FREEMAN, RICHARD I.
Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/12/26