High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping

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	High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping
其他题名	High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping
	SU, CHIN B.; LANZISERA, VINCENT A.; FREEMAN, RICHARD I.
	1987-11-10
专利权人	GTE LABORATORIES INCORPORATED A DE CORP
公开日期	1987-11-10
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A new method for increasing the modulation bandwidth of InGaAsP lasers is described herein. The method of the present invention is based on the gain enhancement doping of the lasers active layer. Lasers with highly doped active regions were demonstrated to have larger modulation bandwidths than lightly doped devices.
其他摘要	本文描述了一种用于增加InGaAsP激光器的调制带宽的新方法。本发明的方法基于激光器有源层的增益增强掺杂。具有高掺杂有源区的激光器被证明具有比轻掺杂器件更大的调制带宽。
申请日期	1985-05-15
专利号	US4706253
专利状态	失效
申请号	US06/734131
公开（公告）号	US4706253
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/062 \| H01S5/30 \| H01S5/323 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	LINEK, ERNEST V.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47254
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	GTE LABORATORIES INCORPORATED A DE CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	SU, CHIN B.,LANZISERA, VINCENT A.,FREEMAN, RICHARD I.. High speed InGaAsP lasers by gain enhancement doping. US4706253[P]. 1987-11-10.