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| Electrode structure of semiconductor laser diode 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1986001083A, 申请日期: 1986-01-07, 公开日期: 1986-01-07
发明人: SAITOU KATSUTOSHI; MIZUISHI KENICHI; SATOU HITOSHI; YAMASHITA SHIGEO
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| Submount for optical semiconductor element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1985074539A, 申请日期: 1985-04-26, 公开日期: 1985-04-26
发明人: SAITOU KATSUTOSHI; TOKUDA MASAHIDE; IMAI KUNINORI; MIZUISHI KENICHI; CHIBA KATSUAKI; KOBAYASHI MASAMICHI
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| Structure of submount for photo semiconductor element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1984167038A, 申请日期: 1984-09-20, 公开日期: 1984-09-20
发明人: SAITOU KATSUTOSHI; TOKUDA MASAHIDE; ONOZATO AKIMASA; IMAI KUNINORI; KOBAYASHI MASAMICHI
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| Ohmic electrode forming method in compound semiconductor 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1984107510A, 申请日期: 1984-06-21, 公开日期: 1984-06-21
发明人: MORI MITSUHIRO; MORI TAKAO; HIRAO MOTONAO; SAITOU KATSUTOSHI; IMAI KUNINORI; CHIBA KATSUAKI; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI
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| P-side ohmic electrode for compound semiconductor 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1984011675A, 申请日期: 1984-01-21, 公开日期: 1984-01-21
发明人: MORI MITSUHIRO; SAITOU KATSUTOSHI; MORI TAKAO; HIRAO MOTONAO; CHIBA KATSUNUMA; IMAI KUNINORI; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI
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| Semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1983134488A, 申请日期: 1983-08-10, 公开日期: 1983-08-10
发明人: YAMASHITA SHIGEO; KAYANE NAOKI; TAKAHASHI TAKEO; SAITOU KATSUTOSHI; OOUCHI HIROBUMI
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| Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1983108784A, 申请日期: 1983-06-28, 公开日期: 1983-06-28
发明人: KOBAYASHI MASAYOSHI; MORI MITSUHIRO; TSUJI SHINJI; SAITOU KATSUTOSHI; CHIBA KATSUAKI; MORI TAKAO; SATOU NOBU; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI
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| Semiconductor device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1983077259A, 申请日期: 1983-05-10, 公开日期: 1983-05-10
发明人: SAITOU KATSUTOSHI; MORI MITSUHIRO; MORI TAKAO; SATOU NOBU; KOBAYASHI MASAYOSHI; CHIBA KATSUAKI; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI
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