Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Manufacture of semiconductor laser device | |
其他题名 | Manufacture of semiconductor laser device |
KOBAYASHI MASAYOSHI; MORI MITSUHIRO; TSUJI SHINJI; SAITOU KATSUTOSHI; CHIBA KATSUAKI; MORI TAKAO; SATOU NOBU; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI | |
1983-06-28 | |
专利权人 | HITACHI SEISAKUSHO KK |
公开日期 | 1983-06-28 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To reduce the stress imposed on the inside of a semiconductor laser element and thus obtain one available for a long time operation by a method wherein, after die bonding, the device is heated again to a temperature over the melting point of solder and applied to the treatment to cool it in a state that a compression stress is impressed on the side surface of a sub mount. CONSTITUTION:When there is a relation alphaL |
其他摘要 | 用途:为了减少施加在半导体激光器元件内部的应力,从而通过一种方法获得可用于长时间操作的应力,其中在管芯键合之后,将器件再次加热到焊料熔点以上的温度并施加在压缩应力施加在子底座的侧表面上的状态下对其进行冷却处理。组成:当半导体激光元件1的热膨胀系数αL与子底座2的αS之间存在αL |
申请日期 | 1981-12-23 |
专利号 | JP1983108784A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1981206935 |
公开(公告)号 | JP1983108784A |
IPC 分类号 | H01L21/52 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/022 | H01L21/58 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70464 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | HITACHI SEISAKUSHO KK |
推荐引用方式 GB/T 7714 | KOBAYASHI MASAYOSHI,MORI MITSUHIRO,TSUJI SHINJI,et al. Manufacture of semiconductor laser device. JP1983108784A[P]. 1983-06-28. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1983108784A.PDF(99KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论