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Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9853420, 申请日期: 2017-12-26, 公开日期: 2017-12-26
发明人:  RARING, JAMES W.;  SCHMIDT, MATHEW;  POBLENZ, CHRISTIANE
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Optical device structure using GaN substrates for laser applications 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9722398, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
发明人:  RARING, JAMES W.;  FEEZELL, DANIEL F.;  PFISTER, NICHOLAS J.;  SHARMA, RAJAT;  SCHMIDT, MATHEW C.;  ELSASS, CHRISTIANE POBLENZ;  CHANG, YU-CHIA
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Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9570888, 申请日期: 2017-02-14, 公开日期: 2017-02-14
发明人:  RARING, JAMES W.;  ELSASS, CHRISTIANE POBLENZ
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Rapid growth method and structures for gallium and nitrogen containing ultra-thin epitaxial structures for devices 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2011022699A1, 公开日期: 2011-02-24
发明人:  RARING, JAMES;  CHAKRABORTY, ARPAN;  POBLENZ, CHRISTIANE
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