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Semiconductor light emitting element, and its manufacturing method 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6303405, 申请日期: 2001-10-16, 公开日期: 2001-10-16
发明人:  YOSHIDA, HIROAKI;  ITAYA, KAZUHIKO;  SAITO, SHINJI;  NISHIO, JOHJI;  NUNOUE, SHINYA
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Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5998810, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
发明人:  HATANO, AKO;  OHBA, YASUO;  FUJIMOTO, HIDETOSHI;  ITAYA, KAZUHIKO;  NISHIO, JOHJI
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Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5987048, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
发明人:  ISHIKAWA, MASAYUKI;  YAMAMOTO, MASAHIRO;  NUNOUE, SHINYA;  NISHIO, JOHJI;  HATAKOSHI, GENICHI;  FUJIMOTO, HIDETOSHI
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