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Strain-tolerant die attach with improved thermal conductivity, and method of fabrication 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US10410958, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
发明人:  KARLICEK, JR., ROBERT F.
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Light-emitting devices and related systems 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8100567, 申请日期: 2012-01-24, 公开日期: 2012-01-24
发明人:  ERCHAK, ALEXEI A.;  LIM, MICHAEL;  LIDORIKIS, ELEFTERIOS;  VENEZIA, JO A.;  NEMCHUK, NIKOLAY I.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.
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Light-emitting devices and related systems 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8100567, 申请日期: 2012-01-24, 公开日期: 2012-01-24
发明人:  ERCHAK, ALEXEI A.;  LIM, MICHAEL;  LIDORIKIS, ELEFTERIOS;  VENEZIA, JO A.;  NEMCHUK, NIKOLAY I.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.
Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2019/12/24
Light-emitting device on-wafer test systems and methods 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20090236506A1, 申请日期: 2009-09-24, 公开日期: 2009-09-24
发明人:  DUDGEON, ROBERT G.;  BROWN, MICHAEL G.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/12/31
Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4999315, 申请日期: 1991-03-12, 公开日期: 1991-03-12
发明人:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.
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Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4888624, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
发明人:  JOHNSTON, JR., WILBUR D.;  KARLICEK, JR., ROBERT F.;  LONG, JUDITH A.;  WILT, DANIEL P.
Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2019/12/26