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MOCVD-grown InGaAsN using efficient and novel precursor, tertibutylhydrazine, for optoelectronic and electronic device applications 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020102847A1, 申请日期: 2002-08-01, 公开日期: 2002-08-01
发明人:  SHARPS, PAUL R.;  HOU, HONG QI;  LI, NEIN-YI;  KANJOLIA, RAVI
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