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Method for fabricating robust light-emitting diodes 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8222063, 申请日期: 2012-07-17, 公开日期: 2012-07-17
发明人:  WANG, LI;  JIANG, FENGYI
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硅衬底GaN基半导体材料的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101719465A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02
发明人:  江风益;  方文卿;  郑畅达;  莫春兰;  王立
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具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100372137C, 申请日期: 2008-02-27, 公开日期: 2008-02-27
发明人:  江风益;  王立;  熊传兵;  方文卿;  刘和初;  周毛兴
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在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1770484A, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2006-05-10
发明人:  江风益;  王立;  方文卿
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在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1697205A, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  江风益;  方文卿;  王立;  莫春兰;  刘和初;  周毛兴
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