Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Method for fabricating robust light-emitting diodes | |
| 其他题名 | Method for fabricating robust light-emitting diodes |
WANG, LI ; JIANG, FENGYI
| |
| 2012-07-17 | |
| 专利权人 | LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION |
| 公开日期 | 2012-07-17 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | One embodiment of the present invention provides a method for fabricating light-emitting diodes (LEDs). The method includes fabricating an InGaAlN-based multilayer LED structure on a conductive substrate. The method further includes etching grooves of a predetermined pattern through the active region of the multilayer LED structure. The grooves separate a light-emitting region from non-light-emitting regions. In addition, the method includes depositing electrode material on the light-emitting and non-light-emitting regions, thereby creating an electrode. Furthermore, the method includes depositing a passivation layer covering the light-emitting and non-light-emitting regions. Moreover, the method includes removing the passivation layer on the electrode to allow the non-light-emitting regions which are covered with the electrode material and the passivation layer to be higher than the light-emitting region and the electrode, thereby protecting the light-emitting region from contact with test equipment. |
| 其他摘要 | 本发明的一个实施例提供了一种制造发光二极管（LED）的方法。该方法包括在导电基板上制造基于InGaAlN的多层LED结构。该方法还包括通过多层LED结构的有源区蚀刻预定图案的凹槽。凹槽将发光区域与非发光区域分开。另外，该方法包括在发光和非发光区域上沉积电极材料，从而形成电极。此外，该方法包括沉积覆盖发光和非发光区域的钝化层。此外，该方法包括去除电极上的钝化层，以使被电极材料和钝化层覆盖的非发光区域高于发光区域和电极，从而保护光 -与测试设备接触的发射区域。 |
| 授权日期 | 2012-07-17 |
| 申请日期 | 2008-03-26 |
| 专利号 | US8222063 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US12/160044 |
| 公开（公告）号 | US8222063 |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L33/20 | H01L33/44 | H01L33/62 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | YAO, SHUN PARK,VAUGHAN,FLEMING & DOWLER LLP |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38450 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WANG, LI,JIANG, FENGYI. Method for fabricating robust light-emitting diodes. US8222063[P]. 2012-07-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US8222063.PDF（556KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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