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Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20100118905A1, 申请日期: 2010-05-13, 公开日期: 2010-05-13
发明人:  YABUSHITA, TOMOHITO;  KAWAGUCHI, YASUTOSHI;  UETA, AKIO;  ISHIBASHI, AKIHIKO
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6466597, 申请日期: 2002-10-15, 公开日期: 2002-10-15
发明人:  KUME, MASAHIRO;  BAN, YUZABURO;  HARAFUJI, KENJI;  KIDOGUCHI, ISAO;  KAMIYAMA, SATOSHI;  TSUJIMURA, AYUMU;  MIYANAGA, RYOKO;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  HASEGAWA, YOSHIAKI
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Semiconductor light-emitting device and production method thereof 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6136626, 申请日期: 2000-10-24, 公开日期: 2000-10-24
发明人:  KIDOGUCHI, ISAO;  ADACHI, HIDETO;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  OHNAKA, KIYOSHI;  BAN, YUZABURO;  KUBO, MINORU
Adobe PDF(243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5923690, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13
发明人:  KUME, MASAHIRO;  BAN, YUUZABUROU;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  UEMURA, NOBUYUKI;  TAKEISI, HIDEMI;  KIDOGUCHI, ISAO
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Semiconductor light-emitting device and production method thereof 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5751013, 申请日期: 1998-05-12, 公开日期: 1998-05-12
发明人:  KIDOGUCHI, ISAO;  ADACHI, HIDETO;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  OHNAKA, KIYOSHI;  BAN, YUZABURO;  KUBO, MINORU
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Semiconductor laser and method for fabricating the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5561080, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
发明人:  ISHIBASHI, AKIHIKO;  KIDOGUCHI, ISAO;  OHNAKA, KIYOSHI;  MANNOU, MASAYA
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Nitride semiconductor, method for manufacturing the same and nitride semiconductor device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20030183827A1, 公开日期: 2003-10-02
发明人:  KAWAGUCHI, YASUTOSHI;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  TSUJIMURA, AYUMU;  OTSUKA, NOBUYUKI
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Method for producing semiconductor and semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20010008285A1, 公开日期: 2001-07-19
发明人:  TSUJIMURA, AYUMU;  HASEGAWA, YOSHIAKI;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  KIDOGUCHI, ISAO;  BAN, YUZABURO
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/26