中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Method of making an article comprising an oxide layer on a GaAs-based semiconductor body 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6271069, 申请日期: 2001-08-07, 公开日期: 2001-08-07
发明人:  CHEN, YOUNG-KAI;  CHO, ALFRED YI;  HOBSON, WILLIAM SCOTT;  HONG, MINGHWEI;  KUO, JENN-MING;  KWO, JUEINAI RAYNIEN;  MURPHY, DONALD WINSLOW;  REN, FAN
Adobe PDF(1000Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/12/24
Lateral injection vertical cavity surface-emitting laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1073171A2, 申请日期: 2001-01-31, 公开日期: 2001-01-31
发明人:  CHIROVSKY, LEO MARIA;  D'ASARO, LUCIAN ARTHUR;  HOBSON, WILLIAM SCOTT;  LOPATA, JOHN
Adobe PDF(146Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/12/31
Lateral injection VCSEL 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6044100, 申请日期: 2000-03-28, 公开日期: 2000-03-28
发明人:  HOBSON, WILLIAM SCOTT;  VAKHSHOORI, DARYOOSH
Adobe PDF(74Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/24
Buried heterostructure lasers using mocvd growth over patterned substrates 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CA2084820C, 申请日期: 1997-12-09, 公开日期: 1993-07-25
发明人:  BERGER PAUL RAYMOND;  DUTTA NILOY KUMAR;  HOBSON WILLIAM SCOTT;  LOPATA JOHN
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/26
Method of making a GaAs-based laser comprising a facet coating with gas phase sulphur 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5668049, 申请日期: 1997-09-16, 公开日期: 1997-09-16
发明人:  CHAKRABARTI, UTPAL KUMAR;  HOBSON, WILLIAM SCOTT;  REN, FAN;  SCHNOES, MELINDA LAMONT
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser with low beam divergence 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0790685A1, 申请日期: 1997-08-20, 公开日期: 1997-08-20
发明人:  HOBSON, WILLIAM SCOTT;  VAKHSHOORI, DARYOOSH
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/12/31